ウカログ半導体・電子管
二陸技「電界効果トランジスタ(FET)」の過去問
「電界効果トランジスタ(FET)」は二陸技の半導体・電子管に関する頻出論点です。これまでに4問の過去問が出題されています。関連問題を通じて理解を深めましょう。
関連する過去問一覧（4問）
- 図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン - ソース間電圧VDS を12〔V〕一定にして、ゲート - ソース間電圧VGS を変えてドレイン電流 ID を求めたとき、表の結果が得られた。このとき、ID = 9〔mA〕付近におけるFET の相互コンダクタンスの値として、最も近いものを下の番号か ら選べ。2025年7月 無線工学の基礎
- 図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計V の値が8 〔V〕であるとき、ドレイン電流ID 及びドレイン-ソース間電圧 VDS の値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、抵抗R2を2 〔ｋΩ〕とする。また、V の内部抵抗の影響はないものとす る。2025年1月 無線工学の基礎
- 図1 に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDS とドレイン電流IDの特性を求めたところ、図2 に示す特性が得られた。 このとき、VDSが6〔V〕、IDが3〔mA〕のときの相互コンダクタンスgmの値として、最も近いものを下の番号から選べ。2024年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1 に示す図記号のP ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい 組合せを下の番号から選べ。 （1） 内部の基本的な構造は、図2 の A である。 （2） ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流を B する素子である。 （3） 図3 の回路でスイッチSW を接(ON)にしたとき、流れる電流I は、 C 〔A〕 である。ただし、V の値はブレークオーバ電圧以下とする。2024年7月 無線工学の基礎