ウカログ2024年7月無線工学の基礎
二陸技 2024年7月 無線工学の基礎 A-12
次の記述は、図1 に示す図記号のP ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい 組合せを下の番号から選べ。 （1） 内部の基本的な構造は、図2 の A である。 （2） ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流を B する素子である。 （3） 図3 の回路でスイッチSW を接(ON)にしたとき、流れる電流I は、 C 〔A〕 である。ただし、V の値はブレークオーバ電圧以下とする。
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管 › 電界効果トランジスタ(FET)」です。 用語や制度・原理を正確に理解できているかがポイントです。 空欄に入る語句の正しい組合せを選ぶ設問です。
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無線工学の基礎電界効果トランジスタ(FET)
この問題の出題データ
二陸技の公式過去問アーカイブ2002年1月期〜2025年7月期（48試験期・4,560問）のうち、無線工学の基礎 A問題（960問・48試験期）を母数として、小分類「電界効果トランジスタ(FET)」の単位で集計しています（同じ小分類に 分類された問題をまとめて数えたもので、設問内容が同じという意味ではありません）。
- 同じ論点の出題数（無線工学の基礎 A問題）
- 960問中 46問（4.8%）
- 出題された試験期
- 48期中 37期
- この論点の初出
- 2002年1月期
- この論点の直近の出題
- 2025年7月期
出典・根拠
- 試験期
- 2024年7月期（令和6年7月）
- 科目・問題番号
- 無線工学の基礎 A-12
- 出典
- 公益財団法人日本無線協会
- 公式問題の出典
- 二陸技/2rikugi-2024(R06)-07-kiso.pdf (kemanai.jpアーカイブ経由、公益財団法人日本無線協会作成の原本)
- 公式正答の出典
- 二陸技/2rikugi-2024(R06)-07-kiso-kaitou.pdf
- 解説の検証状態
- 検証済み（公式問題・正答と照合）
同じ論点の関連問題
公開済みの過去問から、同じ論点に分類されたものを新しい試験期順に表示しています。
- 2025年7月期無線工学の基礎 A-11図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン - ソース間電圧VDS を12〔V〕一定にして、ゲート - ソース間電圧VGS を変えてドレイン電流 ID を求めたとき、表の結果が得られた。このとき、ID = 9〔mA〕付近におけるFET の相互コンダクタンスの値として、最も近いものを下の番号か ら選べ。
- 2025年1月期無線工学の基礎 A-13図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計V の値が8 〔V〕であるとき、ドレイン電流ID 及びドレイン-ソース間電圧 VDS の値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、抵抗R2を2 〔ｋΩ〕とする。また、V の内部抵抗の影響はないものとす る。
- 2024年7月期無線工学の基礎 A-11図1 に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDS とドレイン電流IDの特性を求めたところ、図2 に示す特性が得られた。 このとき、VDSが6〔V〕、IDが3〔mA〕のときの相互コンダクタンスgmの値として、最も近いものを下の番号から選べ。