ウカログ2026年1月無線工学の基礎
二陸技 2026年1月 無線工学の基礎 A-12
次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)二極真空管に分類され、陽極-陰極間にはAを加える。(2)マイクロ波（SHF）帯のBとして用いられ、一般に単一周波数に限定して使用される。(3)使用周波数を決める主な要素は、Cである。
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管」です。 用語や制度・原理を正確に理解できているかがポイントです。 空欄に入る語句の正しい組合せを選ぶ設問です。
学習記録を読み込み中...
無線工学の基礎半導体・電子管
同じ論点の関連問題
公開済みの過去問から、同じ論点に分類されたものを新しい試験期順に表示しています。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-10次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)抵抗率は、常温付近では温度がAと一般に小さくなる。(2)アクセプタと言われるインジウム(In)やガリウム(Ga)を混入すると、B形半導体になる。(3)結合及び結晶構造は、C結合でダイヤモンド構造である。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-11次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕である。ただし、Vの値はブレークオーバー電圧以下とする。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-12次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)で構成する回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)5〔kΩ〕の抵抗に流れる電流I1は、入力電圧をV1〔V〕とすると、次式で表される。I1＝A〔mA〕(2)同様に求めた2〔kΩ〕の抵抗に流れる電流をI2〔mA〕とすると、10〔kΩ〕の抵抗に流れる電流Iは、次式で表される。I＝B〔mA〕(3)出力電圧Voは、式①及び式②より、次式で表される。Vo＝C〔V〕
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-13図に示すトランジスタ(Tr)回路において、エミッタ電流IEの値が4.5〔mA〕であるとき、ベース電流IB及びコレクタ電流ICの最も近い値の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、トランジスタのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを150とする。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-14図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計Vの値が6〔V〕であるとき、ドレイン電流ID及びドレイン-ソース間電圧VDSの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、抵抗R2を2〔kΩ〕とする。また、Vの内部抵抗の影響はないものとする。