2026年1月無線工学の基礎
A-11
次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕である。ただし、Vの値はブレークオーバー電圧以下とする。
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管」です。 用語や制度・原理を正確に理解できているかがポイントです。 空欄に入る語句の正しい組合せを選ぶ設問です。
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- 次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1)PN接合に逆方向電圧を加えたときの静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる素子は、アである。(2)トンネルダイオードは、PN接合にイ電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。(3)ホール素子は、ホール効果を利用し、ウセンサとして用いられる。(4)温度によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、温度センサとして用いられる素子は、エである。(5)電圧によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、過電圧防止素子などとして用いられる素子は、オである。無線工学の基礎 問3
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