ウカログ半導体・電子管
二陸技「半導体・電子管」の過去問
「半導体・電子管」は二陸技の半導体・電子管に関する頻出論点です。これまでに18問の過去問が出題されています。関連問題を通じて理解を深めましょう。
関連する過去問一覧（18問）
- 次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ア バラクタダイオード イ 発光ダイオード ウ ツェナーダイオード エ 可変容量ダイオード オ エサキダイオード2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)抵抗率は、常温付近では温度がAと一般に小さくなる。(2)アクセプタと言われるインジウム(In)やガリウム(Ga)を混入すると、B形半導体になる。(3)結合及び結晶構造は、C結合でダイヤモンド構造である。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕である。ただし、Vの値はブレークオーバー電圧以下とする。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)で構成する回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)5〔kΩ〕の抵抗に流れる電流I1は、入力電圧をV1〔V〕とすると、次式で表される。I1＝A〔mA〕(2)同様に求めた2〔kΩ〕の抵抗に流れる電流をI2〔mA〕とすると、10〔kΩ〕の抵抗に流れる電流Iは、次式で表される。I＝B〔mA〕(3)出力電圧Voは、式①及び式②より、次式で表される。Vo＝C〔V〕2026年7月 無線工学の基礎
- 図に示すトランジスタ(Tr)回路において、エミッタ電流IEの値が4.5〔mA〕であるとき、ベース電流IB及びコレクタ電流ICの最も近い値の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、トランジスタのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを150とする。2026年7月 無線工学の基礎
- 図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計Vの値が6〔V〕であるとき、ドレイン電流ID及びドレイン-ソース間電圧VDSの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、抵抗R2を2〔kΩ〕とする。また、Vの内部抵抗の影響はないものとする。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1)PN接合に逆方向電圧を加えたときの静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる素子は、アである。(2)トンネルダイオードは、PN接合にイ電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。(3)ホール素子は、ホール効果を利用し、ウセンサとして用いられる。(4)温度によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、温度センサとして用いられる素子は、エである。(5)電圧によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、過電圧防止素子などとして用いられる素子は、オである。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。2026年1月 無線工学の基礎
- 図1に示すダイオードDを用いた回路に流れる電流Iが40〔mA〕であるとき、抵抗Rの値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Dの順方向の電圧電流特性は図2で表されるものとする。2026年1月 無線工学の基礎
- 図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Trの直流電流増幅率hFEを200、ベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)二極真空管に分類され、陽極-陰極間にはAを加える。(2)マイクロ波（SHF）帯のBとして用いられ、一般に単一周波数に限定して使用される。(3)使用周波数を決める主な要素は、Cである。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、FETの相互コンダクタンス及びドレイン抵抗をそれぞれgm〔S〕及びrD〔Ω〕とし、静電容量C1、C2、CS〔F〕及び抵抗RS〔Ω〕の影響は無視するものとする。また、FETを等価回路で表したときの増幅回路は図2で表されるものとする。(1)図2の回路の交流負荷抵抗RA〔Ω〕は図1のAの並列合成抵抗である。(2)出力電圧Voの大きさは、rD≫RAとすると、Vo＝B〔V〕である。(3)したがって、電圧増幅度AVの大きさは、AV＝Vo/Vi＝Cである。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の図は、半導体素子名と図記号の組合せを示したものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。2025年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示すマイクロ波帯で用いられる進行波管の原理的な構造等について述べたものである。 内に入れるべき字句 の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) コイルは、電子銃からの電子流を A させる役割がある。 (2) ら旋は、入力されるマイクロ波の位相速度を B する役割がある。 (3) 同調回路がないので、広帯域の信号を C することができる。2025年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、熱電現象について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) ペルチエ効果とは、図1 に示すように、2 種類の金属線M11及びM12を接合して電流i を流すと、接合面T11で A が起きる 効果をいう。 (2) ゼーベック効果とは、図2 に示すように、2 種類の金属線M21及びM22の両端を接合して閉回路を作り、接合点T21及びT22の間 に温度差を与えると、閉回路に B が起きる効果をいう。 (3) トムソン効果とは、図3 に示すように、均一な金属線M31の2 点T31及びT32の間に温度差があるとき、M31に電流i を流すとM31 に C が起きる効果をいう。2025年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す原理的な構造の進行波管(TWT)について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。 （1） 電子銃からの電子流は、コレクタC などに加えられた電圧によって加速される と同時にコイルM で ア され、コレクタC に達する。 （2） マイクロ波は、導波管W1から入力され、もう一方の導波管W2から出力される。 （3） 入力されたマイクロ波は、 イ の働きにより位相速度vpが遅くなる。 （4） マイクロ波の位相速度をvp 、電子流の速度をveとした時、一般にvpをveより 少し遅くする。 （5） （4）のようにすると、マイクロ波はその速度差により、ら旋を進むにつれて ウ される。 （6） 進行波管は、同調回路が エ ので、広帯域の信号の増幅が オ で ある。2024年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。2024年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号 から選べ。 (1) 陽極-陰極間には A を加える。 (2) 発振周波数を決める主な要素は、 B である。 (3) C や調理用電子レンジなどの発振用として広く用いられている。2024年1月 無線工学の基礎