半導体・電子管
半導体・電子管
「半導体・電子管」は二陸技の半導体・電子管に関する頻出論点です。これまでに12問の過去問が出題されています。関連問題を通じて理解を深めましょう。
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「半導体・電子管」の問題を解く関連する過去問一覧（12問）
- 次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1)PN接合に逆方向電圧を加えたときの静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる素子は、アである。(2)トンネルダイオードは、PN接合にイ電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。(3)ホール素子は、ホール効果を利用し、ウセンサとして用いられる。(4)温度によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、温度センサとして用いられる素子は、エである。(5)電圧によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、過電圧防止素子などとして用いられる素子は、オである。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。2026年7月 無線工学の基礎
- 図1に示すダイオードDを用いた回路に流れる電流Iが40〔mA〕であるとき、抵抗Rの値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Dの順方向の電圧電流特性は図2で表されるものとする。2026年7月 無線工学の基礎
- 図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Trの直流電流増幅率hFEを200、ベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)二極真空管に分類され、陽極-陰極間にはAを加える。(2)マイクロ波（SHF）帯のBとして用いられ、一般に単一周波数に限定して使用される。(3)使用周波数を決める主な要素は、Cである。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、FETの相互コンダクタンス及びドレイン抵抗をそれぞれgm〔S〕及びrD〔Ω〕とし、静電容量C1、C2、CS〔F〕及び抵抗RS〔Ω〕の影響は無視するものとする。また、FETを等価回路で表したときの増幅回路は図2で表されるものとする。(1)図2の回路の交流負荷抵抗RA〔Ω〕は図1のAの並列合成抵抗である。(2)出力電圧Voの大きさは、rD≫RAとすると、Vo＝B〔V〕である。(3)したがって、電圧増幅度AVの大きさは、AV＝Vo/Vi＝Cである。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ア バラクタダイオード イ 発光ダイオード ウ ツェナーダイオード エ 可変容量ダイオード オ エサキダイオード2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)抵抗率は、常温付近では温度がAと一般に小さくなる。(2)アクセプタと言われるインジウム(In)やガリウム(Ga)を混入すると、B形半導体になる。(3)結合及び結晶構造は、C結合でダイヤモンド構造である。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕である。ただし、Vの値はブレークオーバー電圧以下とする。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)で構成する回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)5〔kΩ〕の抵抗に流れる電流I1は、入力電圧をV1〔V〕とすると、次式で表される。I1＝A〔mA〕(2)同様に求めた2〔kΩ〕の抵抗に流れる電流をI2〔mA〕とすると、10〔kΩ〕の抵抗に流れる電流Iは、次式で表される。I＝B〔mA〕(3)出力電圧Voは、式①及び式②より、次式で表される。Vo＝C〔V〕2026年1月 無線工学の基礎
- 図に示すトランジスタ(Tr)回路において、エミッタ電流IEの値が4.5〔mA〕であるとき、ベース電流IB及びコレクタ電流ICの最も近い値の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、トランジスタのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを150とする。2026年1月 無線工学の基礎
- 図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計Vの値が6〔V〕であるとき、ドレイン電流ID及びドレイン-ソース間電圧VDSの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、抵抗R2を2〔kΩ〕とする。また、Vの内部抵抗の影響はないものとする。2026年1月 無線工学の基礎