半導体・電子管
二陸技「ダイオード・トランジスタ」の過去問
「ダイオード・トランジスタ」は二陸技の半導体・電子管に関する頻出論点です。これまでに9問の過去問が出題されています。関連問題を通じて理解を深めましょう。
関連する過去問一覧(9問)
- 次の記述は、図1に示す理想ダイオードD を用いた回路の動作について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。 ただし、vabを入力電圧、vcdを出力電圧、ω を角周波数〔rad/s〕、t を時間〔s〕とする。2025年7月 無線工学の基礎
- 図に示す定電圧ダイオードDT を用いた回路において、負荷抵抗RL を500〔Ω〕または100〔Ω〕としたとき、RL の両端電圧VL の値の組 合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、DT は理想的な特性とし、抵抗R1 を100〔Ω〕、DT のツェナー電圧を9〔V〕とする。 RL=500〔Ω〕 RL=100〔Ω〕2025年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体のPN 接合について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) PN 接合の接合面付近には、外部から電圧を加えなくても、キャリアの A 領域がある。その領域には、内部電界があり、その電界の方 向は B に向かう方向である。 (2) 外部からP 形に正( + )、N 形に負( - )の電圧を加えると、(1)の内部電界の強さは C 、電流が流れやすくなる。2025年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1 に示すように、特性の等しいダイオードD を二つ直列に接続した回路の電圧と電流について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、D は図2 の特性を持つものとする。 (1) 回路の直流電圧をV 〔V〕としたとき、一つのD に加わる電圧VDは、 A 〔V〕である。 (2) したがって、V が B 〔V〕以下のとき、回路に流れる電流I は零(0)である。 (3) また、V が1.6〔V〕のとき、I は約 C 〔mA〕である。2025年1月 無線工学の基礎
- 図1 に示すトランジスタ(Tr)回路で、コレクタ電流IC が4.95〔mA〕変化したときのエミッタ電流IE の変化が5.00〔mA〕であった。同じTr を 用いて図2 の回路を作り、ベース電流IB を30〔μA〕変化させたときのコレクタ電流IC の変化の値として、最も近いものを下の番号から選 べ。ただし、トランジスタの電極間の電圧は、図1 及び図2 で同じ値とする。2025年1月 無線工学の基礎
- 図1 に示すダイオードD を用いた回路に流れる電流I が40〔mA〕であるとき、抵抗R の値として、最も近いものを下の番号から選べ。た だし、D の順方向の電圧電流特性は図2 で表されるものとする。2024年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、半導体のキャリアについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) 真性半導体では、ホール(正孔)と電子の密度は A 。 (2) 一般にホール(正孔)の移動度は、電子の移動度よりも B 。 (3) 多数キャリアがホール(正孔)の半導体は、 C 半導体である。2024年1月 無線工学の基礎
- 図に示すダイオードD と抵抗R を用いた回路に流れる電流I の値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、D の順方向の電圧電 流特性は、順方向電流及び電圧をそれぞれID〔A〕及びVD〔V〕としたとき、ID = 0.1VD - 0.06〔A〕で表せるものとする。2024年1月 無線工学の基礎
- 図に示す定電圧ダイオードDTを用いた回路において、負荷抵抗RLを500〔Ω〕又は100〔Ω〕としたとき、RLの両端電圧VLの値の組合せ として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、DTは理想的な特性とし、抵抗R1を100〔Ω〕、DTのツェナー電圧を12〔V〕とする。 RL=500〔Ω〕 RL=100〔Ω〕2024年1月 無線工学の基礎
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