2026年7月無線工学の基礎
A-12
次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)二極真空管に分類され、陽極-陰極間にはAを加える。(2)マイクロ波（SHF）帯のBとして用いられ、一般に単一周波数に限定して使用される。(3)使用周波数を決める主な要素は、Cである。
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管」です。 用語や制度・原理を正確に理解できているかがポイントです。 空欄に入る語句の正しい組合せを選ぶ設問です。
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- 次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1)PN接合に逆方向電圧を加えたときの静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる素子は、アである。(2)トンネルダイオードは、PN接合にイ電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。(3)ホール素子は、ホール効果を利用し、ウセンサとして用いられる。(4)温度によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、温度センサとして用いられる素子は、エである。(5)電圧によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、過電圧防止素子などとして用いられる素子は、オである。無線工学の基礎 問3
- 次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。無線工学の基礎 問9
- 図1に示すダイオードDを用いた回路に流れる電流Iが40〔mA〕であるとき、抵抗Rの値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Dの順方向の電圧電流特性は図2で表されるものとする。無線工学の基礎 問10
- 図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Trの直流電流増幅率hFEを200、ベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。無線工学の基礎 問11
- 次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、FETの相互コンダクタンス及びドレイン抵抗をそれぞれgm〔S〕及びrD〔Ω〕とし、静電容量C1、C2、CS〔F〕及び抵抗RS〔Ω〕の影響は無視するものとする。また、FETを等価回路で表したときの増幅回路は図2で表されるものとする。(1)図2の回路の交流負荷抵抗RA〔Ω〕は図1のAの並列合成抵抗である。(2)出力電圧Voの大きさは、rD≫RAとすると、Vo＝B〔V〕である。(3)したがって、電圧増幅度AVの大きさは、AV＝Vo/Vi＝Cである。無線工学の基礎 問13