ウカログ2026年1月無線工学の基礎
一陸技 2026年1月 無線工学の基礎 A-11
図に示すトランジスタ(Tr)の自己バイアス回路において、コレクタ電流ICを2〔mA〕にするためのベース電流IBと抵抗RBの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Trのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを200、回路のベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管」です。 公式を正しく当てはめて計算できるかがポイントです。 空欄に入る語句の正しい組合せを選ぶ設問です。
学習記録を読み込み中...
同じ論点の関連問題
公開済みの過去問から、同じ論点に分類されたものを新しい試験期順に表示しています。
- 2026年7月期無線工学の基礎 B-3次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕の抵抗Rを組み合わせた回路とその回路の電圧電流特性を示したものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、端子ab間に加える電圧をV、流れる電流をIとする。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-4図1に示すように、磁石Mの磁極(NS)間におかれた金属円板Pを軸0を中心に一定の速さで回転させたとき、磁極付近のPに流れる電流iの様子を示した図として、最も近いものを選べ。ただし、図は、図1を上から見た図とし、矢印はiの方向とする。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-10次の記述は、マイクロ波(SHF)帯やミリ波(EHF)帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組み合わせを選べ。(1)進行波管は、界磁コイル内に置かれたAの作用を利用し、雑音の少ない広帯域の増幅が可能である。(2)インパットダイオードは、PN接合のなだれ現象とキャリアの走行時間効果によるB抵抗特性を利用し発振する。(3)ガンダイオードは、GaAs(ガリウムヒ素)半導体などに強い直流Cを加えたときに生じるガン効果により発振する。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-11次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。なお、同じ記号の内には、同じ字句が入るものとする。(1)図1に示すように、ゲート-ソース(G-S)間電圧VGSを0〔V〕としたとき、PN接合部にAが存在し、ドレイン-ソース(D-S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD-S間に電流が流れないFETをB形FETという。(2)図2に示すように、VGSを十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられてCが形成され、D-S間に電流が流れるようになる。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-12次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いたカスコード増幅回路の原理的構成について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。(1)FETのソース接地増幅器の負荷として、入力インピーダンスの低いA接地増幅回路が接続された形である。(2)入出力間の漂遊容量による結合がBである。(3)全体として安定に動作し、C入力インピーダンスと利得を持つ。(4)アナログ回路では、D増幅回路に多く用いられる。