半導体・電子管
半導体・電子管
「半導体・電子管」は一陸技の半導体・電子管に関する頻出論点です。これまでに13問の過去問が出題されています。関連問題を通じて理解を深めましょう。
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「半導体・電子管」の問題を解く関連する過去問一覧（13問）
- 次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕の抵抗Rを組み合わせた回路とその回路の電圧電流特性を示したものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、端子ab間に加える電圧をV、流れる電流をIとする。2026年7月 無線工学の基礎
- 図1に示すように、磁石Mの磁極(NS)間におかれた金属円板Pを軸0を中心に一定の速さで回転させたとき、磁極付近のPに流れる電流iの様子を示した図として、最も近いものを選べ。ただし、図は、図1を上から見た図とし、矢印はiの方向とする。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、マイクロ波(SHF)帯やミリ波(EHF)帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組み合わせを選べ。(1)進行波管は、界磁コイル内に置かれたAの作用を利用し、雑音の少ない広帯域の増幅が可能である。(2)インパットダイオードは、PN接合のなだれ現象とキャリアの走行時間効果によるB抵抗特性を利用し発振する。(3)ガンダイオードは、GaAs(ガリウムヒ素)半導体などに強い直流Cを加えたときに生じるガン効果により発振する。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。なお、同じ記号の内には、同じ字句が入るものとする。(1)図1に示すように、ゲート-ソース(G-S)間電圧VGSを0〔V〕としたとき、PN接合部にAが存在し、ドレイン-ソース(D-S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD-S間に電流が流れないFETをB形FETという。(2)図2に示すように、VGSを十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられてCが形成され、D-S間に電流が流れるようになる。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いたカスコード増幅回路の原理的構成について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。(1)FETのソース接地増幅器の負荷として、入力インピーダンスの低いA接地増幅回路が接続された形である。(2)入出力間の漂遊容量による結合がBである。(3)全体として安定に動作し、C入力インピーダンスと利得を持つ。(4)アナログ回路では、D増幅回路に多く用いられる。2026年7月 無線工学の基礎
- 図に示す理想的なB級動作をするコンプリメンタリSEPP回路において、トランジスタTr1のコレクタ電流の最大値ICm1及び負荷抵抗RL〔Ω〕で消費される最大電力Pmoの値の組合せとして、最も近いものを選べ。ただし、二つのトランジスタTr1及びTr2の特性は相補的(コンプリメンタリ)で、入力は単一正弦波とする。2026年7月 無線工学の基礎
- 次の記述は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K及びGとする。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図に示す変成器Tを用いたA級トランジスタ(Tr)電力増幅回路の動作について述べたものである。内に入れるべき字句を下の番号から選べ。ただし、入力は正弦波交流で、回路は理想的なA級動作とし、バイアス回路及びTの損失は無視するものとする。また、Tの巻数比(N1:N2)をN1/N2=aとする。(1)TrのコレクタC-エミッタE間から見た交流負荷抵抗RLAは、RLA=ア〔Ω〕である。(2)動作点のコレクタC-エミッタE間電圧VCEは、VCE=イ〔V〕である。(3)動作点のコレクタC電流ICは、IC=ウ〔A〕である。(4)負荷RLで得られる最大交流出力電力Pomは、Pom=エ〔W〕である。(5)Pom出力時の直流入力電力をPDC〔W〕としたとき、電源効率(Pom/PDC)ηは、η=オである。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、ダイオード又はトランジスタから発生する雑音について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)周波数特性の高域で観測され、エミッタ電流がベース電流とコレクタ電流に分配される比率のゆらぎによって生じる雑音は、Aである。(2)周波数特性の中域で観測され、電界を加えて電流を流すとき、キャリアの数やドリフト速度のゆらぎによって生じる雑音は、Bである。(3)周波数特性の低域で観測され、周波数fに反比例する特性があることから1/f雑音ともいわれる雑音は、Cである。2026年1月 無線工学の基礎
- 図1に示すダイオードDと抵抗Rを用いた回路に流れる電流ID及びDの両端の電圧VDの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、ダイオードDの順方向特性は、図2に示す折れ線で近似するものとする。2026年1月 無線工学の基礎
- 図に示すトランジスタ(Tr)の自己バイアス回路において、コレクタ電流ICを2〔mA〕にするためのベース電流IBと抵抗RBの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Trのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを200、回路のベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、マイクロ波やミリ波帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)インパットダイオードは、PN接合のAとキャリアの走行時間効果により発振する。(2)トンネルダイオードは、PN接合に順方向電圧を加えたときのB特性を利用し発振する。(3)進行波管は、界磁コイル内に置かれた回路(ら旋遅延回路)の作用を利用し、Cの増幅が可能である。2026年1月 無線工学の基礎
- 次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いたドレイン接地増幅回路の出力インピーダンス(端子cdから見たインピーダンス)Zo〔Ω〕を求める過程について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、FETの等価回路を図2とし、また、Zoは抵抗RS〔Ω〕を含むものとする。(1)図1を等価回路を用いて書くと、図3になる。出力インピーダンスZo〔Ω〕は、図3の出力端子cdを短絡したときcdに流れる電流をIso〔A〕とし、出力端子cdを開放したときに現れる電圧をVoo〔V〕とすると、次式で表される。Zo=Voo/Iso〔Ω〕(2)Isoは、次式で表される。Iso=A〔A〕(3)Vooは、次式で表される。Voo=B×Vi〔V〕(4)したがって、Zoは式①、②、③より、次式で表される。Zo=C〔Ω〕2026年1月 無線工学の基礎