ウカログ2026年7月無線工学の基礎
二陸技 2026年7月 無線工学の基礎 B-3
次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ア バラクタダイオード イ 発光ダイオード ウ ツェナーダイオード エ 可変容量ダイオード オ エサキダイオード
選択肢（各空欄はこの中から1つずつ選ぶ）
1正しい2誤っている
ア
イ
ウ
エ
オ
この問題で問われるポイント
論点は「半導体・電子管」です。 用語や制度・原理を正確に理解できているかがポイントです。 ア〜オのそれぞれについて、「正しい」(1)と「誤っている」(2)のどちらかを選ぶ設問です。
学習記録を読み込み中...
無線工学の基礎半導体・電子管
同じ論点の関連問題
公開済みの過去問から、同じ論点に分類されたものを新しい試験期順に表示しています。
- 2026年1月期無線工学の基礎 B-3次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1)PN接合に逆方向電圧を加えたときの静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる素子は、アである。(2)トンネルダイオードは、PN接合にイ電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。(3)ホール素子は、ホール効果を利用し、ウセンサとして用いられる。(4)温度によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、温度センサとして用いられる素子は、エである。(5)電圧によって抵抗値が大きく変わる性質を利用し、過電圧防止素子などとして用いられる素子は、オである。
- 2024年7月期無線工学の基礎 B-3次の記述は、図に示す原理的な構造の進行波管(TWT)について述べたものである。 内に入れるべき字句を下の番号から選べ。 （1） 電子銃からの電子流は、コレクタC などに加えられた電圧によって加速される と同時にコイルM で ア され、コレクタC に達する。 （2） マイクロ波は、導波管W1から入力され、もう一方の導波管W2から出力される。 （3） 入力されたマイクロ波は、 イ の働きにより位相速度vpが遅くなる。 （4） マイクロ波の位相速度をvp 、電子流の速度をveとした時、一般にvpをveより 少し遅くする。 （5） （4）のようにすると、マイクロ波はその速度差により、ら旋を進むにつれて ウ される。 （6） 進行波管は、同調回路が エ ので、広帯域の信号の増幅が オ で ある。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-10次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)抵抗率は、常温付近では温度がAと一般に小さくなる。(2)アクセプタと言われるインジウム(In)やガリウム(Ga)を混入すると、B形半導体になる。(3)結合及び結晶構造は、C結合でダイヤモンド構造である。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-11次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕である。ただし、Vの値はブレークオーバー電圧以下とする。
- 2026年7月期無線工学の基礎 A-12次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)で構成する回路について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)5〔kΩ〕の抵抗に流れる電流I1は、入力電圧をV1〔V〕とすると、次式で表される。I1＝A〔mA〕(2)同様に求めた2〔kΩ〕の抵抗に流れる電流をI2〔mA〕とすると、10〔kΩ〕の抵抗に流れる電流Iは、次式で表される。I＝B〔mA〕(3)出力電圧Voは、式①及び式②より、次式で表される。Vo＝C〔V〕